Temelji na galijev nitrid tehnologije in obstoječe proizvodne zmogljivosti, inženirstvo sevu lahko izvedljiva metoda za mikro-zaslon.
Glede na sev izdelava indij galijev nitrid (InGaN) več kvantne vodnjakov, University of Michigan je razvil monolitno integrirano amber-zeleno-modro LED (slika 1). Inženirstvo sevu je doseči jedkanje različnih premerov nano-stolpcev.
Slika 1. Različnih premerov nano-stolpec pod vodstvom matrike od zgoraj navzdol izdelave shematični
Raziskovalci upanje za proizvodnjo rdeče-zeleno-modro vodil v prihodnosti z 635nm svetlobna kvantna dobro, zagotavljanje izvedljiva metoda za mikro-prikaz na ta piksel vodil. Druge potencialne aplikacije vključujejo osvetlitev, biosenzorjev in optični genetike.
Poleg podporo National Science Foundation (NSF), Samsung podpira proizvodnjo in oblikovanje opreme. Raziskovalci upajo, da razvije odkrušek-razina multicolor LED platformo na osnovi obstoječe proizvodne infrastrukture.
Epitaksialno materialov gojijo na 2-palčni št potiskane safirji z nanašanje kovin, organskih tankih plasti (MOCVD). Svetlobna aktivno območje je sestavljena iz 5 2 5nm InGaN pasti mednju 12nm gan vrata. Elektronski pregrado plasti in plasti P-Kontakt so sestavljeni iz 20nm galijev nitrid (P-al0.2ga0.8N) in 150nm P-gan oziroma.
Stolpcu Nano je nastala z uporabo elektronskega žarka litografijo, in nikelj maska se uporablja za mešane mokro in suho jedkanje proces. Večina jedkanica je suho induktivno sklopljeno plazmo, in mokrem jedkanju faza se uporablja doseči končni premer in odpravo škode suho jedkanje korak. Globine jedkanju gre 300nm. Med celotnega proizvodnega procesa, jedkanje masko zaščiten za zaščito površine P-gan.
Ko je bila izvedena na izboljšano plazme Nanašanje tankih plasti (PECVD) od 50nm silicijevega nitrida, struktura je bila ustanovljena z uporabo rotacijski prevlečeni stekla, da osamite dele N in P-gan.
Suho-tip korozije ravno strukture izpostaviti tip stolpca. Odstranite niklja masko materiala z raztopino dušikove kisline. P-Kontakt nikelj/zlata metalizacijo je toplotno razbeljenem v zraku.
Električni delovanja pripomočka kaže nizko puščanje o 3 x 10-7a na slikovno piko na 5V povratne pristranskosti. Nizko uhajanje je pripisati dveh dejavnikov-the sploščene quantum zagotavlja tudi nizko trenutno crowding učinek, in omejitev sev sproži prevoznika do centra nano-stolpec. Tveganje zmanjša učinek zaradi večje gostote toka v ožji stolpec je mogoče izboljšati z zmanjšanjem seva, tako zmanjšati kvantne omejitev "ostrem učinek" električno polje, ki je posledica naboja polarizacija kemijskih vezi v nitrida.
Pik sestavljajo stolpce z različnimi premeri in različne barve (slika 2). Premer poveča, postane valovna dolžina daljši in spremembe je večja. Raziskovalci spremembe pripisati kvantne dobro debeline spremembe na rezinami.
QQ screenshot 20170916103202. png
Sl. 2. (a) sobni temperaturi electroluminescent spektri modra (487nm), zelena (512nm), oranžna (575nm) in Amber (600nm) svetlobe iz 50nm, 100nm in 800nm premer nano stolpce in tankoplastnih vodil slikovnih pik.
(b) na valovno dolžino svetlobe, ki se pridobiva s teorijo sproščanja enodimenzionalna stres.
(c) položaj glavnega vrha po različnih pristranski napetosti.
S povečanjem napetosti in trenutnega injektiranja, bolj ohlapno ozke nanocevke kažejo tudi manj valovno dolžino blue shift. 800nm premer nano stolpec pixel blue shift med 2.8V in 4V je 40nm. To je posledica raziskovalne skupine, sejanje skozi polja sev-odvisno od napetosti v past.
Ekipa določena napetost pristranskosti in spremenila intenzivnost z modulacijo frekvence impulza, tako stabilizacijo izhodno valovno dolΎino pixel. Skozi ta poskus, je pokazale, da vse vrste pixel dati stabilen valovno dolžino in relativno electroluminescence intenzivnosti in dajatve razmerje impulza signala je spremenila skoraj linearno. Njihova impulzna širina je 400μs. Pogostost impulz razlikuje med 200Hz in 2000Hz.
